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作者:李彦宏 发表时间:2020/06/05

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新豪天地首页OP727ARZ-REEL7中文资料OP727ARZ-REEL7中文资料第5页精选内容:REV.-5-OP777/OP727/OP747典型性能特征-偏移电压-V22060010080604020020406080100200804020160120140100180VSY=15VVCM=0VTA=25℃输入失调电压分配TCVOS-V/=15VVCM=0VTA=-40℃至+85℃/OP747输入偏移电压漂移(TCVOS分配)偏移电压-V3000120800408040020010060040120140VSY=5VVCM==25℃输入失调电压分配偏移电压-V22060010080604020020406080100200804020160120140100180VSY=5VVCM==25℃输入失调电压分配V6004000300200VSY=15VVCM=0VTA=25℃输入失调电压分配120140偏移电压-V3000800408040120400200100500600VSY=15VVCM=0VTA=25℃输入失调电压分配输入偏移漂移-V/C三十五VSY=15VVCM=0VTA=40℃至+85℃输入失调电压漂移分布偏移电压-V6003000500400200100VSY=5VVCM==25℃-输入失调电压分配输入偏置电流-NA三十150384五67252010五VSY=15VVCM=0VTA=2STM32F103RCT6中文资料电气特性STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE一百三十〇分之九十八文件ID14611Rev8表特征符号参数条件敏马克斯单元DuCy(SCK)I2S从机输入时钟负载周期从模式三十70%fCK1/tc(CK)I2S时钟频率主模式(数据:16位,音频=48kHz)兆赫从模式(CK)tf(CK)I2S时钟上升和下降时间电容负载CL=50pF8NStv(WS)(1)WS有效时间主模式3th(WS)(1)WS保持时间主模式I2S22I2S30tsu(WS)(1)WS设置时间从模式4th(WS)(1)WS保持时间从模式0tw(CKH)(1)CK高低时间主机PCLK=16MHz,音频频率=(CKL)(1)345tsu(SD_MR)(1)数据输入建立时间主接收机(SD_SR)(1)数据输入建立时间从接收机(SD_MR)(1)(2)数据输入保持时间主接收机0th(SD_SR)(1)(2)从接收机(SD_ST)(1)(2)数据输出有效时间从发射机(使能后)边缘)18th(SD_ST)(1)数据输出保持时间从发射机(使能后)边缘)11tv(SD_MT)(1)(2)数据输出有效时间主变送器(使能后)边缘)3th(SD_MT)(1)数据输出保持时间主变送器(使能后)边缘)01.基于设计模拟和/或表征结果,未在生产中测试.2.取决于PCLK.例如,如果fPCLK=8MHz,则TPCLK=1/fPLCLK=125ns.OP496GSZ中文资料OP496GSZ中文资料第14页精选内容:OP196/OP296/OP496REV.-14-1/2OP296413281000PF的%%楼VIN5V至我LAMP;LT;50MAVO图低压差稳压器图9显示了稳压器的恢复特性输出经历了20MA至50MA的阶跃电流变化.100%100902V为50μS为10MV50毫安30毫安OUTPUT步当前控制波形图9.输出阶跃负载电流恢复缓冲DAC输出多通道TRIMDAC,如AD8801/AD8803等广泛用于数字调零和类似应用.这些DAC具有轨到轨输出摆幅,具有标称输出5K的电阻Ω.如果需要较低的输出阻抗,可以添加OP296功放.两个例子显示在图的一个放大器被用作简单的缓冲器以降低DACA的输出电阻.OP296提供轨到轨输出驱动器,同时工作在3V电源下只需要50μA的电源电流.5VOP296简单的缓冲区0V至5V++夏天的电路与精细修剪调整数字接口注重清晰AD8801/AD8803VHVLVDDVREFHGNDVREFLVHVLVHVL图10.缓冲TRIMDACOUTPUTTPC接下来的两个DACB和C将它们的输出相加到另一个OP296放大器.在这个电路中,DACC提供了粗略的输出电压设定,DACB用于微调.R1与DACB串联插入会削弱其有利条件,分配给DACC输出端的电压和节点.高端电流监测器在电源控制电路的设计中,有很大的作用设计工作的重点是确保传输晶体管的长期在广泛的负载电流条件下的可靠性.结果是,监控和限制器件的功耗是首要的这些设计的重要性.电路如图11所示是5V单电源高端电流监控器的一个例子可以将其并入到电压调节器的设计中具有折返电流限制或高电流电源与撬棍保护.此设计使用OP296的轨到轨轨道输入电压范围以检测的电压降Ω电流分流.

STM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE电气特性文件ID14611Rev8一百三十〇分之七十三图30.同步非多路复用NOR/PSRAM读时序表37.同步非多路复用NOR/PSRAM读时序(1)(2)=基于表征,未在生产中测试.符号参数敏马克斯单元tw(CLK)FSMC_CLK期间(CLKL-NExL)FSMC_CLK低至FSMC_NEx低(x=0...2)(CLKL-NExH)FSMC_CLK低至FSMC_NEx高(x=0...2)2NStd(CLKL-NADVL)FSMC_CLK低至FSMC_NADV低4NStd(CLKL-NADVH)FSMC_CLK低至FSMC_NADV高五NStd(CLKL-AV)FSMC_CLK低至FSMC_Ax有效(x=0...25)0NStd(CLKL-AIV)FSMC_CLK低至FSMC_Ax无效(x=0...25)4NSt(CLKL-NOEL)FSMC_CLK低至FSMC_NOE低(CLKL-NOEH)FSMC_CLK低至FSMC_NOE高(DV-CLKH)FSMC_D[15:0]FSMC_CLK之前的有效数据高(CLKH-DV)FSMC_DCL=15时有效数据FSMC_CLK为高电平7NStsu(NWAITV-CLKH)FSMC_NWAIT在FSMC_SMCLK为高电平有效7NSth(CLKH-NWAITV)FSMC_NWAIT在FSMC_CLK为高电平有效2NSSTM32F103RCT6中文资料电气特性STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE42/130文件运行条件一般操作条件表9.热特性符号评级值单元TSTG存储温度范围-65至+150CTJ最大结温150C表10.一般操作条件符号参数条件敏马克斯单元fHCLK内部AHB时钟频率072兆赫fPCLK1内部APB1时钟频率036fPCLK2内部APB2时钟频率072VDD标准工作电压(1)1.使用ADC时,请参见表59:ADC特性.模拟工作电压(ADC未使用)必须具有相同的潜力作为VDD(2)2.建议从同一来源为VDD和VDDA供电.最大差值为300mV在VDD和VDDA之间可以在上电和操作期间容忍.模拟工作电压(使用ADC)备用工作电压=功耗85°C,后缀6或TA=105°C后缀7(3)3.如果TA较低,只要TJ不超过TJmax,则允许较高的PD值(见表:Thermal)特性见第120页).LQFP144666毫瓦LQFP100434LQFP64444LFBGA100500LFBGA144500WLCSP64400TA环境温度为6℃后缀版本最大功耗-4085C低功耗(4)4.在低功耗状态下,只要TJ不超过TJmax,TA可以扩展到此范围表:热特性见第120页).-40105环境温度为7℃后缀版本最大功耗-40105C低功耗(4)-40125TJ结温范围6后缀版本-40105C7后缀版本-40125OP290EZ中文资料OP290EZ中文资料第10页精选内容:REV.一个OP290-10-1/2OP290GP11/2OP290GP3276五+15V-15VVOUTR2100KR31MD2D1二极管是1N41484R425KC1为4700PF8图6.可变压摆率滤波器低电压参考图7显示了一个只需要的电压参考架空电压.如图所示,参考提供了一个稳定的输出,至36V电源.输出电压漂移是只有12PPM/C.参考电压的线路调整在5HV/V以下负载调整好于10μV/MA,最高可达50MA输出电流.REF-43提供了一个稳定的乘以输出晶体管启用输出电压接近电源电压.电阻R1和R2确定输出电压.VV[R[ROUT=+Ω可变电阻器用于调整输出电压.为了获得最低的温度漂移,可以使用并联电阻可变电阻的位置并根据需要从电路中取出调整输出电压.%C110楼+R22K1%2N2907A11/2OP290GP3284图7.低开销电压参考

金沙城足球竞猜分析OP484FSZ-REEL中文资料OP484FSZ-REEL中文资料第19页精选内容:OP184/OP284/OP484牧师D|第19页,共24页具有电流的低压差调节器LIMITING对于这个例子,由于的VOUT和VOUT2=需要倍的U1B增益,R3和R2被选为A比例为:1或Ω:Ω(使用最接近的1%值).注意那最低的V许多电路要求稳定,稳定的电压相对接近潜在的一个不受管制的输入源.这个低辍学率类型的调节器很容易实现与轨到轨输出运算放大器,如OP284,因为输出宽摆动允许容易地驱动到低饱和电压通过装置.而且,运算放大器也特别有用采用轨到轨输入功能,因为这个因素允许对正轨电流进行高端电流检测限制.典型的例子是电压从3V发展到9伏范围系统源或任何低压差的地方性能是需要的功率效率.这个的例子从5V标称电源工作到最坏情况或更低.OUT直流误差,应保持R2||R3等于R1(如本例中)和R2到R3电阻应该是稳定的,紧公差的金属薄膜类型.表中图58总结了一些流行的R1到R3值电压.但是,请注意,一般来说,输出可以V之间的任何地方Q1的12V最大额定值.OUT2而Q1的低电压饱和特性是关键低压差部分,另一部分是低电流感觉比较阈值,具有良好的直流精度在这里,这个由提供的电流感测放大器U1A提供由的AD589参考电压提供20MV的参考电压二极管D2和R7到R8分压器.当产品的输出电流和R图58显示了这样一个调节器建立,使用一个OP284加上一个低RDS(ON),P沟道MOSFET通过器件.部分这个电路的低压差性能由此提供Q1,其栅极驱动电压为Ω只有这个相对较低的栅极驱动阈值允许稳压器在低至3V的电源上运行影响整体表现.小号值匹配此电压阈值,电流控制回路被激活,U1A驱动Q1通过D1门.这导致整体电路操作输入电流限制ILIMIT,进行电流模式控制如()+=877STM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE电气特性文件ID14611Rev853/130号决议表19.在休眠模式下的典型电流消耗,代码从Flash或随机存取存储器符号参数条件fHCLK典型(1)1.典型值为TA=25°C,VDD=时的测量值.单元所有外设启用(2)2.为模拟部分增加每个的额外功耗.在应用中,这个仅在ADC导通时才会发生消耗(ADC_CR2寄存器中的ADON位置1).所有外设残我DD供应目前在睡眠模式外部时钟(3)3.当HCLKamp;gt;8MHz时,外部时钟为8MHz,PLL为嘛跑高速度内部RC(HSI),AHB预分频器用来减少频率STM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE引脚和引脚说明文件ID14611Rev8一百三十〇分之三十七PD9D14D14D14DA14D14是PD10D15D15D15DA15D15是PD11A16A16CLE是PD12A17A17ALE是PD13A18A18是PD14D0D0D0DA0D0是PD15D1D1D1DA1D1是PG2A12-PG3A13-PG4A14-PG5A15-PG6INT2-PG7INT3-PD0D2D2D2DA2D2是PD1D3D3D3DA3D3是PD3CLKCLK是PD4NOENOENOENOENOE是PD5NWENWENWENWENWE是PD6NWAITNWAITNWAITNWAITNWAIT是PD7NE1NE1NCE2是PG9NE2NE2NCE3-PG10NCE4_1NCE4_1NE3NE3-PG11NCE4_2NCE4_2-PG12NE4NE4-PG13A24A24-PG14A25A25-PB7NADVNADV是PE0NBL0NBL0是PE1NBL1NBL1是1.端口F和G在100引脚封装中提供的器件中不可用.表引脚定义(续)销FSMCLQFP100BGA100(1)CFCF/IDENOR/PSRAM/SRAMNOR/PSRAMMuxNAND16位

OP484ESZ-REEL中文资料OP484ESZ-REEL中文资料第22页精选内容:OP184/OP284/OP484牧师D|第22页,共24页订购指南模型温度范围包装说明包装选项OP184ES-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184ES-REEL-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184ES-REEL7-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184ESZ1-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184ESZ-REEL1-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184ESZ-REEL71-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184FS-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184FS-REEL-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184FS-REEL7-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184FSZ1-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184FSZ-REEL1-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP184FSZ-REEL71-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284EP-40°C至+125°C8引脚PDIPN-8OP284EPZ1-40°C至+125°C8引脚PDIPN-8OP284ES-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284ES-REEL-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284ES-REEL7-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284ESZ1-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284ESZ-REEL1-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284ESZ-REEL71-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284FS-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284FS-REEL-40°C至+125°C8引脚SOICR-8OP284FS-REEL7-40°C至+125STM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE引脚和引脚说明文件ID14611Rev8一百三十〇分之二十七图和STM32F103xE性能线路LQFP100引脚排列1234五67891011121314151617181920212223242575747372717069686766656463626160595857565554535251VDD_2VSS_2NCPA13PA12PA11PA10PA9PA8PC9PC8PC7PC6PD15PD14PD13PD12PD11PD10PD9PD8PB15PB14PB13PB12PE2PE3PE4PE5PE6VBATPC13篡改-RTCPC14-OSC32_INPC15-OSC32_OUTVSS_5VDD_5OSC_INOSC_OUTNRSTPC0PC1PC2PC3VSSAVREF-VREF+VDDAPA0-WKUPPA1PA2ai14391LQFP100OP90EZ中文资料OP90EZ中文资料第9页精选内容:REV.一个OP90-9-单运放全波整流器图7显示了一个全波整流电路,输入信号的绝对值达到即使工作,也是±来自单个5V电源.对于负输入,放大器起作用作为单位增益逆变器.正信号强制运放输出地面.1N914二极管反向偏置,信号通过R1和R2到达输出.自输出阻抗取决于输入极性,负载阻抗导致不对称的输出.对于恒定的负载阻抗,这个可以通过减少R2来纠正.变化或重载可以由第二个OP90缓冲.图8显示了具有4VPP,10HZ输入信号的全波整流器.+5V2346OP90FZ7R3100KHP5082-2800VINR110KR210K1N914VOUT图7.单运放全波整流器图8.具有4VPP的全波整流器的输出,10HZ输入2线4MA至20MA电流发送器图9的电流变送器提供4MA的输出到20MA,与输入电压成线性比例.发射机的线性度超过%,线路拒斥%/伏特.REF-02EZ为电流发射器提供偏置.OP90EZ调节输出电流以满足电流在同相节点上求和:一世[RVR[RVR[ROUT在=+16五2551对于图9中显示的值,IV嘛OUT在=+161004Ω在100MV输入的情况下提供20MA的满量程输出.R2的调整将提供补偿调整和调整R1将提供增益修正.这些修剪不会相互影响OP90的同相输入处于虚拟地.该肖特基二极管D1可防止输入电压尖峰的拉动非反相输入低于反相300MV以上输入.没有二极管,这样的尖峰可能导致相位反转OP90和发射器可能的闭锁.遵守这个电路是从10V到40V.电压参考输出可以为换能器激励提供高达2MA的电流.23467我OUT=16VIN100+生命值5082-2800R580K+5V参考2MA最大-+我OUTRL2N1711V+(10V至40V)OP90E

腾搏会足球平台CY7C1021BNL-15VXC中文资料CY7C1021BNL-15VXC中文资料第6页精选内容:CY7C1021BN,CY7C10211BN文件编号:001-06494修订版*D第6页,共14页开关特性在操作范围内参数[4]描述CY7C1021B-15单元敏马克斯读周期TRC读取周期时间15-NSTAA地址到数据有效-15NSTOHA数据从地址更改中保留3-NSACECE低到数据有效-15NSTDOEOELOW到数据有效-7NSTLZOEOE低到低Z[4]0-NSTHZOEOE高到高Z[5,6]-7NSTLZCECE低至低Z[5]3-NSTHZCECE高到高Z[5,6]-7NSTPUCE低电启动0-NSTPDCE高电平关闭-15NSTDBE字节启用数据有效-7NSTLZBE字节使低Z[5]0-NSTHZBE字节禁用到高Z[5,6]-7NS写周期[7]TWC写周期时间15-NSTSCECELOW写入结束10-NSTAW地址设置写入结束10-NS哈地址从写入结束持有0-NSTSA地址设置写入开始0-NSTSD数据设置写入结束8-NSTHD数据从写入结束0-NSTLZWE我们高到低Z[5]3-NSTHZWE我们低到高Z[5,6]-7NS吨BW字节使能写入结束9-NS笔记4.测试条件假定信号转换时间为3NS或更短,定时参考电平为,输入脉冲电平为0至,并且输出负载为指定的IOL/IOH和30PF的负载电容.5.在任何温度和电压条件下,对于任何器件,THZCE小于TLZCE,THZOE小于TLZOE,THZBE小于TLZBE,THZWE小于如AC试验负载的(B)部分所述,THZOE,THZBE,THZCE和THZWE的负载电容为5PF.从稳态电压测量到转换电压≤内存的内部写入时间由CELOW,WELOW和BHE/BLELOW的重叠定义.CE,WE和BHE/BLE必须为低电平才能启动写入,并且这些信号的转换可以终止写入.输入数据建立和STM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE电气特性文件ID14611Rev8一百三十〇分之六十七t(BL_NOE)FSMC_BL在FSMC_NOE为高电平后保持时间0NStv(BL_NE)FSMC_NEx低至FSMC_BL有效0NStsu(Data_NE)数据到FSMC_NEx高设置时间2tHCLK+24NStsu(Data_NOE)数据到FSMC_NOE高设置时间2tHCLK+25NSth(Data_NE)FSMC_NEx之后的数据保持时间高0NSth(Data_NOE)FSMC_NOE为高电平后的数据保持时间=基于表征,未在生产中测试.表33.异步复用PSRAM/NOR读时序(1)(2)(续)符号参数敏马克斯单元STM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE修订记录文件ID14611Rev8一百三十〇分之一百二十五21-07月20083文件状态从初步数据提升到完整的数据表.FSMC(灵活的静态内存控制器)第15页修改.补充通道数量如图1所示:STM32F103xC,STM32F103xD和STM32F103xE性能线框图.电源管理器第17页已修改,VDDA已添加到表10:一般操作条件第42页.第5节修订的表格说明:电气特性.图12中修改的电容:第40页的电源方案.表52:更新了SCL频率(fPCLK1=36MHz.,VDD=).表53:图49中修改的SPI特性t(NSS):SPI时序图-从站模式和CPHA=0(第96页).从快速模式中删除的最小SDA和SCL下降时间值表51:I2C特性,第93页,注释1修改.我的DD_VBAT值和一些IDD值与运行模式下的调节器相加到表17:停止和停止的典型和最大电流消耗待机模式(第48页).表30:闪存持久性和数据保留(第63页)更新.tsu(NSS)在表53中修改:SPI特性(第95页).EO在表62中已更正:第105页的ADC精度图58:使用ADC的典型连接图第106页和下面的注释纠正.从表64中删除典型的TS_temp值:TS特性第110页.第节:软件包机械数据在第111页更新.小文字变化.表75.文件修订历史日期调整变化

SSM2604CPZ-REEL7中文资料SSM2604CPZ-REEL7中文资料第12页精选内容:数据表|第11页,共28页操作理论数字核心SSM2604数字内核内部是一个中央时钟源,称为主时钟(MCLK),它产生一个参考时钟所有的内部音频数据处理和同步.什么时候使用外部时钟源来驱动MCLK引脚,非常棒应小心选择小于50PS的时钟源的抖动.如果不小心产生MCLK信号,数字音频质量可能受损.使SSM2604能够产生中央参考时钟在系统中,在MCLK/XTI之间连接一个晶体振荡器输入引脚和XTO输出引脚.允许外部设备生成中央参考时钟,直接通过MCLK/XTI输入引脚.在这个配置中,SSM2604可以通过使用OSC位(寄存器R6,位D5)来降低功耗.为了适应频率很高的应用程序时钟,SSM2604的内部核心参考时钟可以设置为MCLK或MCLK除以2.这是由启用调整CLKDIV2位(寄存器R8,位D6)的设置.作为该功能的补充,CLKOUT引脚也可以驱动外部时钟源与核心时钟信号或通过使能CLKODIV2位将内核时钟除以2(寄存器R8,位D7).ADC和DACSSM2604包含一对过采样Σ-ΔADC.最大ADC满量程输入电平为时AVDD=如果ADC的输入信号超过此值级别,发生数据过载并导致可听失真.ADC接受来自立体声线路的模拟音频输入投入.来自ADC输出的数字数据一旦被转换,使用ADC滤波器进行处理.与ADC通道互补,SSM2604包含一个一对过采样Σ-ΔDAC,用于转换数字音频来自内部DAC滤波器的数据转换为模拟音频信号.DAC输出也可以通过设置DACMU位进行静音(寄存器R5,位D3).ADC高通和DAC去强化滤波器ADC和DAC使用单独的数字滤波器来执行24位信号处理.数字滤波器用于两者录制和播放模式,并针对每个人进行优化.使用的采样率.对于录制模式操作,未处理的数据来自ADC进入ADC滤波器并转换为相应的值采样频率,然后输出到OP27GS-REEL7中文资料OP27GS-REEL7中文资料第5页精选内容:|第5页,共20页VS=±15V,-55°C≤TA≤125°C,除非另有说明.表2OP27A参数符号条件敏典型马克斯单元输入失调电压1VOS三十60μV平均输入偏移漂移μV/℃输入偏移电流我操作系统1550NA的输入偏置电流IB±20±60NA的输入电压范围IVR±±共模抑制比CMRRVCM=±10V108122DB电源拒绝率PSRRVS=±至±18V216μV/V大信号电压增益一个VORL≥2KΩ,VO=±10V6001200V/毫伏输出电压摇摆VORL≥2KΩ±±输入失调电压测量是在施加电源大约秒后由自动测试设备执行的.A/E等级完全保证热身.2TCVOS性能在规格范围内,或当RP=8KΩ至20KΩ时为空.TCVOS对A/E等级进行了100%的测试,对G等级进行了样品测试.3由设计保证.对于OP27J,OP27Z,VS=±15V,-25°C≤TA≤85°C,对于OP27EP,0°C≤TA≤70°C,对于OP27GP,-40°C≤TA≤85°C,OP27GS,除非另有说明.表参数符号条件敏典型马克斯敏典型马克斯单元输入ONSET电压VOS205055220μV平均输入偏移漂移μV/℃μV/℃输入偏移电流我操作系统105020135NA的输入偏置电流我B±14±60±25±150NA的输入电压范围IVR±±±±共模抑制比CMRRVCM=±10V11012496118DB电源拒绝率PSRRVS=±至±18V215232μV/V大信号电压增益一个VORL≥2KΩ,VO=±10V75015004501000V/毫伏输出电压摇摆VORL≥2KSTM32F103RCT6中文资料STM32F103xC,STM32F103xD,STM32F103xE电气特性文件ID14611Rev8一百三十〇分之四十一绝对最大额定值强度高于表7中的绝对最大额定值:电压特性,表8:电流特性和表9:热特性可能导致永久性损坏设备.这些只是压力额定值和设备的功能操作在这些条件下并不暗示.暴露于最大额定条件下延长周期可能会影响设备的可靠性.表7.电压特性符号评级敏马克斯单元VDD-VSS外部主电源电压(包括VDDA和VDD)(1)1.所有主电源(VDD,VDDA)和接地(VSS,VSSA)引脚必须始终连接到外部电源供应,在允许范围内.-(2)2.必须始终尊重VIN最大值.参见表8:最大电流特性允许注入电流值.输入电压为5伏特的引脚+任何其他引脚上的输入电压|ΔVDDx|不同VDD电源引脚之间的变化50毫伏|VSSX-VSS|所有不同接地引脚之间的变化50VESD(HBM)静电放电电压(人体模型)见第节:绝对最大额定值(电灵敏度)表8.电流特性符号评级最大.单元我VDDVDD/VDDA电源线(电源)的总电流(1)1.所有主电源(VDD,VDDA)和接地(VSS,VSSA)引脚必须始终连接到外部电源供应,在允许范围内.150嘛我VSSVSS地线(sink)的总电流(1)150我IO任何I/O和控制引脚输出电流下降25任何I/O和控制引脚输出电流源-25我INJ(PIN)(2)2.负注入会干扰设备的模拟性能.请参见第105页的表62所示的注释3.五伏特引脚上的注入电流(3)3.这些I/O无法进行正向注入.VINamp;lt;VSS引起负注入.我INJ(PIN)必须永远不会被超越参见表7:最大允许输入电压的电压特性值.-5/+0任何其他引脚上的注入电流(4)4.当VINamp;gt;VDD引起正向注入时,VINamp;lt;V

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